ガスクラスターイオンビーム(GCIB)応用装置
ガスクラスターとは
ガスクラスターは数百〜数千個のガス原子が、ゆるく結合した塊で、細いスロートを持つノズルから噴出させる事により生成されます。

装置概要
- GCIB(ガスクラスターイオンビームソース)を使用し、その特性を生かす為に最適な装置を提案いたします。
試料サイズ、試料重量、回転機構、可変傾斜角度など、ご要望により設計、製造致します。
ガスクラスターイオンビーム装置特色
- 試料保持ステージ
被対象物にあわせてステージ作製し、X-Y-Z、自転、入射角を変更できます。
X-Y スキャンを行うことで、ビーム照射高均一性が得られます。 - 高真空動作圧
ガスクラスターイオン生成室とビーム照射室が分かれているため、照射雰囲気は10−3Pa台の高真空に保たれ、コンタミ発生やプラズマダメージを対象物表面に与えません。 - 反応性ガス
対象物加工条件によって反応性ガスでのクラスタービーム照射可能。
N2, O2, CO2, SF6, CF4, CHF3, B2H6 等 - 自由度
ガスクラスターイオンビーム装置設計時からお客様のご要望を可能な限り反映させ、お客様だけの特注の研究・量産設備に仕上げます。
GCIB装置の一例(上の写真)
- チャンバー内寸
- 約1200W x 990D x 900H
- 排気系
- TMP 2台
- 到達真空度 1e-4Pa以下
- 排気速度 5e-4Pa 迄3時間以内
- ステージ
- 5軸まで対応可能 (X,Y,Z,θ,自転)
- 8”ウェハ搭載
- 基板重量 最大10kg
- ファラデーカップ
- 基板シャッター
ガスクラスターイオンビーム(GCIB)照射・応用事例
【ダイヤモンドへのGCIB照射加工例】



【CVDダイヤモンドの平滑化の例】
ご提供:山田公京都大学名誉教授
【タングステンカーバイド金型表面へのGCIB照射加工例】

Ra=3.2nm,Rms=4.7nm

Ra=1.2nm,Rms=1.6nm