ガスクラスターイオンビーム発生源

ガスクラスターは数百〜数千個のガス原子がゆるく結合した塊で、細いスロートを持つノズルから噴出させる事により生成されます。

シングルイオンビームとガスクラスターイオンビーム(GCIB)の違い

シングルイオンビームとガスクラスターイオンビーム(GCIB)の違い

ガスクラスターイオンビーム(GCIB)発生源の特徴

  1. ナノオーダーの微細加工に適しています
  2. Ra 数ナノメートルの平坦化加工
  3. 反応性ガス処理対応
  4. 基板表面温度100℃以下での加工可能

ガスクラスターイオンビーム(GCIB)装置は数百〜数千の原子集団からなるクラスターイオンを発生させます。
GCIBのラテラルスパッタ効果により被対象物表面を超平坦化加工、無損傷加工が可能です。
通常のイオンビームでは得られない超低エネルギー照射効果(数eV/atom)とクラスターによる超高密度照射効果(表面改質、高品位薄膜形成)が可能です。

GCIBソース(モノマーイオン除去機能・中和機能付き)

GCIBソース(モノマーイオン除去機能・中和機能付き)

GCIBソース

GCIBソース

ガスクラスターイオンビーム(GCIB)照射・応用事例

【ダイヤモンドへのGCIB照射加工例】

照射前
照射前
照射後
照射後1

【CVDダイヤモンドの平滑化の例】

ご提供:山田公京都大学名誉教授

【タングステンカーバイド金型表面へのGCIB照射加工例】

照射前
照射前

Ra=3.2nm,Rms=4.7nm

GCIB照射後
GCIB照射後

Ra=1.2nm,Rms=1.6nm