イオンビームエッチング/ミリング装置

本装置はDCまたはRFイオンソースを使用し、基板回転冷却シングルステージを搭載したイオンビームエッチング/ミリング装置です。

新製品 イオンビームエッチング装置(IBE装置) Jシリーズ J440

コンパクト設計 イージーオペレーション及び拡張性

特長
  • 微細加工が難しいAu,Pt,磁性材料の加工
  • 基板表面温度100℃以下での処理が可能
  • 有毒ガスを使用しないクリーンプロセス
  • 省スペース化
    架台内に全構成品収納。コンパクトなサイズで設置場所を選びません。
  • 柔軟な加工性
    容易にテーパー加工、斜め照射ミリング可能。
  • 液晶タッチパネル&PLC制御
    自動排気、プロセスの自動化等レシピ設定可能。
    エラー表示及びデーターロギング。

用途
センサー、SAWデバイス、薄膜磁気ヘッド、MEMS、電子顕微鏡サンプル作成など

導入分野
研究開発、試作品開発、少量生産

標準仕様

対応基板 最大φ4インチ
基板ステージ 自転、入射角度(0~±90°)可変
ステージ冷却 ドライチャック、空冷式チラー
イオンソース 米国KRI社製 カウフマンイオンソース KDC40
ビーム仕様 ビーム電圧100-1200V、電流最大100mA
グリッド セルフアライメントTMMo製2枚4cmグリッド
真空排気系 大気圧から10-4Pa台まで30分以内
(標準でターボ分子ポンプ、RP、広帯域真空ゲージ、ゲートバルブレス構造)
チャンバー SUS製φ410XL280mm、ビューポート付き
制御系 7インチタッチパネル&PLC制御
寸法、重量 780mm(W)X 950mm(L)X 1700mm(H)以内
約500kg
オプション
  • 各種グリッド(Mo、カーボン、発散、収束及びコリメート)
  • エッチング均一性向上(KDC75)及び各種ニュートラライザー
  • イオンビームデポジション(IBS)装置へのステップアップ
  • ゲートバルブ追加、ドライポンプへの変更
  • エンドポイント機能(光又はQマスタイプ)
    ※基板の複数枚処理(自転公転ステージ)及び簡易LL機構を搭載した、Kシリーズ及び  Lシリーズもございます。
必要諸元
  • 3相AC200V,15A
  • Arガス(プロセス用)
  • N₂ガス(チャンバーベント用)
  • 圧縮空気(バルブ駆動用)

弊社では、お客様のご仕様に基づいて最適な装置構成をご提案致します。

イオンビームエッチング装置/ミリング装置(IBE/IBM装置)の特徴
  • 微細加工に適しています
  • Au, Pt, 磁性材等を容易にエッチング
  • テーパー加工が容易
  • 基板表面温度 80℃以下での処理が可能
  • 有毒ガスを使用しないため、排ガス処理不要
  • エンドポイントディテクター搭載可能