イオンビームスパッタ装置

本装置はRFイオンソースを使用し、シングルステージ又はプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング（IBS）装置です。
弊社では、お客様のご仕様に基づいて最適な装置構成をご提案致します。

イオンビームスパッタ装置（IBS装置）の特徴
  • プロセス動作圧　10-2Pa台 (10-4Torr台)
    高真空成膜可能
  • コンタミネーションが少ない
  • 無加熱成膜
  • 高密度成膜
  • 反応性成膜可能
  • イオンビームアシスト（追加）成膜
  • 精度の高い膜厚制御