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イオンビームスパッタ装置
イオンビームスパッタ装置
本装置はRFイオンソースを使用し、シングルステージ又はプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング(IBS)装置です。
弊社では、お客様のご仕様に基づいて最適な装置構成をご提案致します。
イオンビームスパッタ装置(IBS装置)の特徴
プロセス動作圧 10-2Pa台 (10-4Torr台)
高真空成膜可能
コンタミネーションが少ない
無加熱成膜
高密度成膜
反応性成膜可能
イオンビームアシスト(追加)成膜
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