イオンビームスパッタ装置

本装置はRFイオンソースを使用し、シングルステージ又はプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング(IBS)装置です。
弊社では、お客様のご仕様に基づいて最適な装置構成をご提案致します。

イオンビームスパッタ装置(IBS装置)の特徴
  • プロセス動作圧 10-2Pa台 (10-4Torr台)
    高真空成膜可能
  • コンタミネーションが少ない
  • 無加熱成膜
  • 高密度成膜
  • 反応性成膜可能
  • イオンビームアシスト(追加)成膜
  • 精度の高い膜厚制御