本装置はRFイオンソースを使用し、シングルステージ又はプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング（IBS）装置です。
弊社では、お客様のご仕様に基づいて最適な装置構成をご提案致します。
イオンビームスパッタ装置（IBS装置）の特徴
- プロセス動作圧
10-2Pa台 (10-4Torr台) - 高真空成膜可能
- コンタミネーションが少ない
- 無加熱成膜
- 高密度成膜
- 反応性成膜可能
- イオンビームアシスト（追加）成膜
- 精度の高い膜厚制御
イオンビームスパッタ装置
真空装置のトータルプランナー
本装置はRFイオンソースを使用し、シングルステージ又はプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング（IBS）装置です。
弊社では、お客様のご仕様に基づいて最適な装置構成をご提案致します。